UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm 高性能SiC FET基于独特“共源共栅”的电路配置,配置包括一个常开型SiC JFET,可与Si MOSFET共同封装,产生常闭型SiC FET器件。该器件采用D2PAK-7L封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
UF3SC065030B7S的规格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:11 ns, 9 ns
Id-连续漏极电流:62 A
最大工作温度:+ 175°C
最小工作温度:- 55°C
湿度敏感性:Yes
安装风格:SMD/SMT
通道数量:1 Channel
封装 / 箱体:D2PAK-7
封装:Reel
封装:Cut Tape
Pd-功率耗散:214 W
产品:SiC FETs
产品类型:SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷:43 nC
Rds On-漏源导通电阻:27 mOhms
上升时间:26 ns, 28 ns
系列:UF3SC
工厂包装数量:800
子类别:Transistors
技术:SiC
商标名:SiC FET
晶体管极性:N-Channel
类型:SiC FET
典型关闭延迟时间:46 ns
典型接通延迟时间:23 ns
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:6 V
单位重量:4.675 g
型号
品牌
封装
数量
描述
Microchip
TO-263-7
3000
碳化硅 (SiC) MOSFET 表面贴装型 N 通道 1200 V 43A(Tc) 268W(Tc) TO-263-7
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