IAUAN04S7N006是一款适用于汽车应用的40V、0.57mΩ N 沟道MOSFET,具有极低的导通电阻、较低的开关损耗和增强的耐用性。
英飞凌的OptiMOS™ 7为未来的汽车应用设定了新标准,与具有最小尺寸的创新、坚固的封装相结合,可实现最高的功率效率、更低的开关损耗和更大的SOA。
IAUAN04S7N006(规格)
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:HSOF-5-1
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:410 A
Rds On-漏源导通电阻:570 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:94 nC
最小工作温度:- 55°C
最大工作温度:+ 175°C
Pd-功率耗散:179 W
通道模式:Enhancement
商标名:OptiMOS
系列:OptiMOS 7
封装:Reel
封装:Cut Tape
商标:Infineon Technologies
配置:Single
下降时间:18 ns
湿度敏感性:Yes
产品类型:MOSFET
上升时间:9 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFETs
晶体管类型:OptiMOS Automotive Power MOSFET
典型关闭延迟时间:31 ns
典型接通延迟时间:12 ns
型号
品牌
封装
数量
描述
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