A5G23H110NT4概述:
这款13.8W非对称Doherty GaN射频功率放大器专为2300到2400MHz频率且需要宽瞬时带宽的移动通信基站应用而设计。
该部件的特征参数和性能适用于运行在2300–2400MHz频段的应用。如果将该部件用于工作频率超出该范围的应用,则无法保证其性能。
A5G23H110NT4特性:
高终端阻抗,支持出色的宽带性能
利用新一代信号改进线性化误差矢量幅值
可承受极高的输出VSWR和宽带运行条件
适用于复杂度较低的线性化系统
优化用于5G基站mMIMO有源天线系统
符合RoHS规范
A5G23H110NT4规格:
技术: GaN-on-Si
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
工作频率: 2.3 GHz to 2.4 GHz
增益: 16.2 dB
输出功率: 13.8 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-6
湿度敏感性: Yes
通道数量: 2 Channel
系列: A5G23H110N
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
型号
品牌
封装
数量
描述
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MIMX9351CVTXMAB :i.MX 93应用处理器系列——Arm Cortex-A55,ML加速,高能效MPU产品:MIMX9351CVTXMAB封装:FCBGA-306类型:i.MX 93处理器速度:1.7 GHz等级:Industrial工作温度:-40˚C 至 +105Ci.MX 93工业认证器件特别适用于以下应用:工业人机界面(HMI)工业视觉扫…电话咨询:86-755-83294757
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