CY15V108QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 8-Mb 非易失性存储器。与串行闪存不同,CY15x108QSN 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后,数据立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询,即可开始下一个总线周期。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有很强的写入耐用性。CY15x108QSN 能够支持 1014 次读写周期,比 EEPROM 多 1 亿次写入周期。
产品属性
类别: 存储器
包装: 托盘
零件状态: 在售
存储器类型: 非易失
存储器格式: FRAM
技术: FRAM(铁电体 RAM)
存储容量: 8Mb
存储器组织: 1M x 8
存储器接口: SPI - 四 I/O,QPI
时钟频率: 108 MHz
访问时间: 6.7 ns
电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V
工作温度: -40°C ~ 105°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 24-TBGA
供应商器件封装: 24-FBGA(6x8)
型号
品牌
封装
数量
描述
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
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