CY15V104QN-20BFXI是一款采用先进铁电工艺的低功耗 4-Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 EXCELON™ LP F-RAM 是非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和 EEPROM 不同,CY15X104QI 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后,数据立即写入存储器阵列。无需数据轮询,即可开始下一个总线周期。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品具有很强的写入耐用性。CY15X104QI 能够支持 1015 次读写周期,写入次数是 EEPROM 的 1 亿倍。
这些功能使 CY15X104QI 成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。例如,在数据采集应用中,写入周期的次数可能至关重要;在要求苛刻的工业控制应用中,串行闪存或 EEPROM 较长的写入时间可能会导致数据丢失。
CY15V104QN-20BFXI器件参数:
类别:存储器存储器
包装: 托盘
零件状态: 在售
存储器类型: 非易失
存储器格式: FRAM
技术: FRAM(铁电体 RAM)
存储容量: 4Mb
存储器组织:512K x 8
存储器接口: SPI
时钟频率: 20 MHz
访问时间: 20 ns
电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳 :8-UFLGA
供应商器件封装: 8-UFLGA(3.28x3.23)
型号
品牌
封装
数量
描述
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
8-UFLGA
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 4Mb SPI - 四 I/O 108 MHz 6.7 ns 8-UFLGA(3.28x3.23)
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