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CY15V104QSN-108BFXI是一款采用先进铁电工艺的高性能 4-Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。

与串行闪存不同，CY15x104QSN 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询，即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有很强的写入耐用性。

CY15V104QSN-108BFXI规格：

类别：存储器  

存储器类型： 非易失  

存储器格式： FRAM  

技术： FRAM（铁电体 RAM）  

存储容量： 4Mb  

存储器组织： 512K x 8  

存储器接口： SPI - 四 I/O  

时钟频率： 108 MHz  

访问时间： 6.7 ns  

电压 - 供电： 1.71V ~ 1.89V  

工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安装类型： 表面贴装型  

封装/外壳： 8-UFLGA  

供应商器件封装： 8-UFLGA（3.28x3.23）  

产品特点

• 4 Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑上组织为 512K × 8

- 几乎无限制的耐久性，100 万亿次（1014）读/写循环

- 151 年数据保存期（参见第 101 页 "数据保存期和耐用性）

- 英飞凌即时非易失性写入技术

- 先进的高可靠性铁电工艺

- 单 I/O 和多 I/O 串行外设接口 (SPI)

• 串行总线接口 SPI 协议

- 所有 SDR 模式传输均支持 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1)

- 所有 DDR 模式传输均支持 SPI 模式 0 (0, 0)

- 扩展 I/O SPI 协议

- 双 SPI (DPI) 协议

- 四 SPI (QPI) 协议

• SPI 时钟频率

- 高达 108-MHz 频率 SPI 单数据速率 (SDR)

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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