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产品分类

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商品型号:UF3SC065040B7S

商品名称:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Qorvo

年份:24+

封装:D2PAK-7

货期:全新原装

库存数量:3000

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技术参数

制造商
Qorvo
型号
UF3SC065040B7S
封装
D2PAK-7
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 650 V, 42 mohm SiC FET D2PAK-7L

产品描述

UF3SC065040B7S 是采用D2PAK-7L封装的650 V, 42 mohm SiC FET器件,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。


规格

产品种类:MOSFET

技术:SiC

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-7

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:43 A

Rds On-漏源导通电阻:42 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:6 V

Qg-栅极电荷:43 nC

最小工作温度:- 55°C

最大工作温度:+ 175°C

Pd-功率耗散:195 W

通道模式:Enhancement

商标名:SiC FET

系列:UF3SC

配置:Single

下降时间:9 ns, 12 ns

湿度敏感性:Yes

产品:SiC FETs

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns, 27 ns

典型关闭延迟时间:45 ns, 47 ns

典型接通延迟时间:22 ns

单位重量:4.675 g


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