UF3C065080B3 是一款650 V, 80 mohm SiC FET分立式晶体管。该器件采用D2PAK-3L封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,配合推荐的RC缓冲器使用时,非常适合开关感性负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。
规格
产品种类:MOSFET
技术:SiC
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:25 A
Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:51 nC
最小工作温度:- 55°C
最大工作温度:+ 175°C
Pd-功率耗散:115 W
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
商标名:SiC FET
系列:UF3C
封装:MouseReel
配置:Single
下降时间:12 ns
上升时间:13 ns
典型关闭延迟时间:50 ns
典型接通延迟时间:25 ns
单位重量:2.163 g
型号
品牌
封装
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描述
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
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