UF3C065040T3S - 碳化硅 (SiC) MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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图片仅供参考，请参阅产品规格

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商品型号：UF3C065040T3S

商品名称：碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌：Qorvo

年份：24+

封装：TO-220-3L

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

Qorvo

型号

UF3C065040T3S

封装

TO-220-3L

描述

MOSFET 650 V, 42 mohm SiC FET TO-220-3L

产品描述

Qorvo UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on)共源共栅SiC FET产品将其高性能Gen 3 SiC JFET与FET优化MOSFET共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动SiC器件。

该MOSFET具有超低栅极电荷，同时也是同类器件中反向恢复特性最好的。该器件采用TO-220-3L封装，配合推荐的RC缓冲器使用时，非常适合开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

规格

技术：SiC

安装风格：通孔

封装 / 箱体：TO-220-3

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Id-连续漏极电流：54 A

Rds On-漏源导通电阻：52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4 V

Qg-栅极电荷：51 nC

最小工作温度：- 55°C

最大工作温度：+ 175°C

Pd-功率耗散：326 W

通道模式：Enhancement

资格：AEC-Q101

商标名：SiC FET

系列：UF3C

配置：Single

单位重量：2 g

常见问题

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Qorvo

Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州，汇聚30余年的设计经验，全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地，位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日，位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人；Qorvo(Dezhou)成立于2015年，位于山东省德…