CY15V102QN-50SXI - 低功耗、2Mb 非易失性串行 F-RAM 存储器 IC
产品概览
CY15V102QN-50SXI 是 2Mb 串行铁电 RAM (F-RAM) 存储器 IC,采用 8 引脚 SOIC 封装。该存储器阵列的逻辑组织形式为 262,144 × 8 位,使用行业标准 SPI 总线进行访问。CY15V102QN 是 SPI 从器件,工作速度高达 50 MHz。这种高速串行总线为 SPI 主设备提供高性能串行通信。
主要特性
- 2Mb 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 256K × 8
- 快速 SPI - 频率高达 50 MHz
- 专用的 256 字节特殊扇区 F-RAM
- 低功耗
- 40 MHz 时 2.4 mA(典型值)有效电流
- 2.3 µA(典型值)待机电流
- 0.70 µA(典型值)深度掉电模式电流
- 0.1 µA(典型值)休眠模式电流
- 低压工作 - VDD = 1.71 V 至 1.89 V
- 工业工作温度:-40°C 至 +85°C
型号
品牌
封装
数量
描述
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
8-UFLGA
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 4Mb SPI - 四 I/O 108 MHz 6.7 ns 8-UFLGA(3.28x3.23)
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Cypress公司是一家知名的电子芯片制造商,其中文名称为——赛普拉斯。 赛普拉斯在纽约股票交易所上市,在数据通信、消费类电子等广泛领域均提供芯片解决方案。公司生产高性能IC产品,用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。公司1982年成立,是一家国际化大公司。目前约有…
CY15B102N-ZS60XM
CY15B102N-ZS60XM是 128K 16 非易失性存储器,其读写与标准 SRAM 相似。铁电随机存取存储器(F-RAM)是一种非易失性存储器,这意味着数据在断电后仍能保留。它的数据保留时间超过 121 年,同时消除了电池支持 SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快…CY15V116QSN-108BKXQ
CY15V116QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 16-Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。CY15…CY15B116QSN-108BKXQ
CY15B116QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 16-Mb 非易失性存储器。CY15V108QSN-108BKXQ
CY15V108QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 8-Mb 非易失性存储器。CY15B116QI-20BKXC
CY15B116QI-20BKXC是一款低功耗、16 Mbit 非易失性存储器,采用了先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是一种非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统…CY15B108QSN-108BKXQ
CY15B108QSN-108BKXQ是一款采用先进铁电工艺的高性能 8-Mb 非易失性存储器。与串行闪存不同,CY15x108QSN 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后,数据立即写入存储器阵列。无需进行数据轮询,即可开始下一个总线周期。此外,与其他非易失…电话咨询:86-755-83294757
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