UJ4C075018K3S - 碳化硅 (SiC) MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：UJ4C075018K3S

商品名称：UJ4C075018K3S

品牌：Qorvo

年份：24+

封装：TO-247-3

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

Qorvo

型号

UJ4C075018K3S

封装

TO-247-3

描述

MOSFET 750V、18mohm G4 SiC FET 晶体管

产品描述

UJ4C075018K3S - 750V、18mohm G4 SiC FET 晶体管

主要特性

导通电阻 (RDS(on))： 18 欧姆（典型值）

最高工作温度 175 °C

出色的反向恢复能力： Qrr = 102 nC

低体二极管 VFSD：1.14 V

低栅极电荷： QG = 37.8 nC

阈值电压 VG(th)： 4.8 V（典型值），允许 0 至 15 V 驱动电压

典型应用

电动汽车充电

光伏逆变器

开关模式电源

功率因数校正模块

电机驱动器

感应加热

UJ4C075018K3S - 该器件采用 TO-247-3L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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6.公司能开发票吗？

答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

Qorvo

Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州，汇聚30余年的设计经验，全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地，位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日，位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人；Qorvo(Dezhou)成立于2015年，位于山东省德…