这款 GaNFast 电源 IC 针对高频软开关拓扑进行了优化。 FET、驱动器和逻辑的单片集成创建了一个易于使用的“数字输入、电源输出”高性能动力系统构建块,使设计人员能够创建世界上最快、最小、最高效的电源转换器。 最高的 dV/dt 抗扰度、高速集成驱动器和行业标准的薄型、低电感、5 x 6 mm SMT QFN 封装使设计人员能够利用 Navitas GaN 技术和简单、快速、可靠的解决方案实现突破性功率密度和 效率。
GaNFast 功率 IC 将反激式、半桥式、谐振式等传统拓扑的功能扩展到 MHz+,并实现了突破性设计的商业引入。
特征
GaNFast™ 电源 IC
• 单片集成栅极驱动器
• 具有迟滞的宽逻辑输入范围
• 5 V / 15 V 输入兼容
• 宽 VCC 范围(10 至 30 V)
• 可编程开启 dV/dt
• 200 V/ns dV/dt 抗扰度
• 800 V 瞬态电压额定值
• 650 V 连续额定电压
• 低 300 mΩ 电阻
• 零反向恢复电荷
• ESD 保护 – 2 kV (HBM)、1 kV (CDM)
• 2 MHz 操作
小型、薄型 SMT QFN
• 5 x 6 mm 占用空间,0.85 mm 轮廓
• 最小化封装电感
可持续性
• RoHS、无铅、符合 REACH 标准
• 与硅解决方案相比,节能高达 40%
• 系统级 4kg CO2 碳足迹减少
拓扑/应用
• AC-DC、DC-DC、DC-AC
• QR 反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D 类
• 无线电源、太阳能微型逆变器、LED 照明、TV SMPS、服务器、电信
型号
品牌
封装
数量
描述
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
纳微半导体(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,专注于开发超高效的氮化镓半导体产品。 2022年1月,纳微半导体宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心,进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。氮化镓功率芯片企业纳微半导体宣布推出全新一代采用GaNSense技术的智能GaNFas…
NV6115-RA
NV6115-RA芯片的导阻为170mΩ,耐压650V,支持2MHz开关频率,采用5*6mm QFN封装,节省面积,得益于NV6115内置驱动器,无需外置驱动器,更加节省PCB空间。GaNFast 功率集成电路将反激式、半桥、谐振等传统拓扑结构的功能扩展到 MHz 以上,使突破性设计得以商业化。产品属性…NV6117-RA
这款 NV6117-RA GaNFast 功率集成电路针对高频软开关拓扑结构进行了优化。场效应晶体管、驱动和逻辑的单片集成创造了一个易于使用的 "数字输入、电源输出 "高性能动力总成构件,使设计人员能够创建世界上速度最快、体积最小、效率最高的电源转换器。最高的 dV/…NV6132A-RA
NV6132A-RA 这款 GaNFast™ 功率集成电路集成了带集成栅极驱动的高性能 eMode GaN FET,可实现前所未有的高频和高效率运行。它还集成了 GaNSense™ 技术,可实时、准确地检测电压、电流和温度,从而进一步提高性能和稳健性,这是任何分立氮化镓或分立硅器件都无法实现的。…NV6152-RA
NV6152-RA 这款 GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。产品特性GaNFast™ 功率集成电路- 单片集成栅极驱动- 宽 VCC 范围(10 至 30 V)- 可编程导通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗扰度- 800 V 额定瞬态电压-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。功能特点单片集成栅极驱动宽 VCC 范围(10 至 30 V)可编程导通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗扰度800 V 额定瞬态电压700 V 额定连续电压300 mΩ 低电阻零反向…NV6158
NV6158 GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。功能特点单片集成栅极驱动宽 VCC 范围(10 至 30 V)可编程导通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗扰度800 V 额定瞬态电压700 V 额定连续电压120 mΩ 低电阻零反向恢复…电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: