MASTERGAN4 是一款先进的电源系统级封装，在半桥配置中集成了一个栅极驱动器和两个增强型GaN功率晶体管。集成电源GAN具有650 V漏源阻断电压和225 mΩ的RDS（ON），而嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。该器件在较低和较高驱动部分均具有UVLO保护功能，可防止电源开关在低效率或危险条件下工作，联锁功能可避免交叉传导情况。
产品属性：
输出配置：半桥
应用：通用
接口：逻辑
负载类型：容性和阻性
技术：-
导通电阻（典型值）：225 毫欧 LS，225 毫欧 HS
电流 - 输出/通道：6.5A
电流 - 峰值输出：6.5A
电压 - 供电：3.3V ~ 15V
电压 - 负载：3.3V ~ 15V
工作温度：-40°C ~ 125°C
特性：自举电路
故障保护：超温，UVLO
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：31-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：31-QFN（9x9）
型号
品牌
封装
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描述
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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