这款 NV6117-RA GaNFast 功率集成电路针对高频软开关拓扑结构进行了优化。场效应晶体管、驱动和逻辑的单片集成创造了一个易于使用的 "数字输入、电源输出 "高性能动力总成构件,使设计人员能够创建世界上速度最快、体积最小、效率最高的电源转换器。
最高的 dV/dt 抗扰度、高速集成驱动以及符合行业标准的低外形、低电感、5 x 6 mm SMT QFN 封装,使设计人员能够利用 Navitas GaN 技术提供简单、快速、可靠的解决方案,实现突破性的功率密度和效率。
产品属性
开关类型: 通用
输出数: 1
比率 - 输入:输出: 1:1
输出配置: 高压侧或低压侧
输出类型: N 通道
接口: PWM
电压 - 负载: 650V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) :10V ~ 24V
电流 - 输出(最大值): 12A
导通电阻(典型值): 120 毫欧
输入类型: 非反相
工作温度: -40°C ~ 125°C(TC)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-QFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
拓扑/应用
• 交流-直流、直流-交流、直流-交流
• QR 反激式、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全 桥、LLC 谐振、D 类
• 无线供电、太阳能微型逆变器、LED 照明、电视 SMPS、服务器、电信
型号
品牌
封装
数量
描述
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纳微半导体(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,专注于开发超高效的氮化镓半导体产品。 2022年1月,纳微半导体宣布开设新的电动汽车 (EV) 设计中心,进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。氮化镓功率芯片企业纳微半导体宣布推出全新一代采用GaNSense技术的智能GaNFas…
G2R1000MT33J
G2R1000MT33J器件是一款3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管,其低导通电阻为1000mΩ,有助于减少能量损耗,提高系统效率。基本参数漏源电压(Vdss):3300V连续漏极电流(Id):4A(在25C时)驱动电压(Vgs):最大20V导通电阻(RdsOn):1000mΩ功率耗散(…NV6115-RA
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NV6132A-RA 这款 GaNFast™ 功率集成电路集成了带集成栅极驱动的高性能 eMode GaN FET,可实现前所未有的高频和高效率运行。它还集成了 GaNSense™ 技术,可实时、准确地检测电压、电流和温度,从而进一步提高性能和稳健性,这是任何分立氮化镓或分立硅器件都无法实现的。…NV6152-RA
NV6152-RA 这款 GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。产品特性GaNFast™ 功率集成电路- 单片集成栅极驱动- 宽 VCC 范围(10 至 30 V)- 可编程导通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗扰度- 800 V 额定瞬态电压-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。功能特点单片集成栅极驱动宽 VCC 范围(10 至 30 V)可编程导通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗扰度800 V 额定瞬态电压700 V 额定连续电压300 mΩ 低电阻零反向…NV6158
NV6158 GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。功能特点单片集成栅极驱动宽 VCC 范围(10 至 30 V)可编程导通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗扰度800 V 额定瞬态电压700 V 额定连续电压120 mΩ 低电阻零反向恢复…电话咨询:86-755-83294757
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