NDSH20120CDN碳化硅（SiC）肖特基二极管采用TO-247-3LD封装，无反向恢复电流，具有与温度无关的开关特性以及出色的热性能。该器件可实现如下系统优势：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。该EliteSiC二极管具有正温度系数，易于并联。
产品属性
二极管配置：1 对共阴极
技术：SiC（碳化硅）肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)：0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：200 µA @ 1.2 kV
工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C
等级：-
资质：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3
型号
品牌
封装
数量
描述
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