IMBG65R040M2H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装,基于先进的CoolSiC™ MOSFET 技术,适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能,缩减尺寸,增强可靠性。
特征描述
低 Qrr 和 Qoss
低开关损耗
换向稳健型快速体二极管
先进沟槽技术带来出色的栅极氧化物可靠性
采用 .XT 互连技术,实现卓越的热性能
雪崩能力更强
SMD 封装,可直接集成至 PCB
用于优化开关性能的感测引脚
应用
服务器
电信
开关电源 (SMPS)
太阳能系统
储能和电池系统
不间断电源 (UPS)
电动汽车充电
电机驱动器
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…S70KS1282GABHA020
S70KS1282GABHA020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器(主机)不主动读写存储器时,器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作,因此在主机看来,DRA…S70KS1282GABHI020
S70KS1282GABHI020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器(主机)不主动读写存储器时,器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作,因此在主机看来,DRA…S70KS1282GABHB020
S70KS1282GABHB020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器(主机)不主动读写存储器时,器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作,因此在主机看来,DRA…S70KL1282DPBHB023
S70KL1282DPBHB023 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器(主机)不主动读写存储器时,器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作,因此在主机看来,DRA…S70KL1282DPBHB020
S70KL1282DPBHB020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器(主机)不主动读写存储器时,器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作,因此在主机看来,DRA…电话咨询:86-755-83294757
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