欢迎来到深圳市明佳达电子有限公司

IMZA120R007M1H采用TO247-4封装的1200V 7mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

英飞凌推出的、采用TO247-4封装的SiC MOSFET 可降低栅极电路上的源极寄生电感效应，从而实现更快的开关速度和更高的效率。

产品属性

FET 类型：N 通道  

技术： SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss）： 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：225A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.9 毫欧 @ 108A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.2V @ 47mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 220 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +20V，-5V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9170 nF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 750W（Tc）  

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型： 通孔  

供应商器件封装： PG-TO247-4-8  

封装/外壳： TO-247-4

应用领域

不间断电源（UPS）

电池化成

电动汽车快速充电

电机控制和驱动

太阳能系统解决方案

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

• 2.公司商品都是原装正品吗？

  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

• 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

• 4.我可以通过公司网站进行询价吗？

  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

• 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

• 6.公司能开发票吗？

  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。