商品名称:IMYH200R075M1H
数据手册:IMYH200R075M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-247-4
货期:全新原装
库存数量:1000 件
IMYH200R075M1H 采用TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 75 mΩ SiC MOSFET旨在提供更高的功率密度,即使在苛刻的高电压和开关频率条件下也不影响系统的可靠性。CoolSiC™技术的低功率损耗提供了更高的可靠性,这要归功于2000 V优化封装中的.XT互连技术,在组串逆变器、太阳能优化器、电动汽车充电和储能系统等应用中实现了最高效率。
产品属性
FET 类型: N 通道
技术: SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss): 2000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :98 毫欧 @ 13A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V @ 7.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 64 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +20V,-7V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 267W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-4-U04
封装/外壳: TO-247-4
基本产品编号: IMYH200
潜在应用
• 组串式逆变器
• 太阳能优化器
• 电动汽车充电
型号
品牌
封装
数量
描述
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S70KS1282GABHI020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器(主机)不主动读写存储器时,器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作,因此在主机看来,DRA…S70KS1282GABHB020
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S70KL1282DPBHB020 是具有 HYPERBUS™ 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 阵列使用需要定期刷新的动态单元。当 HYPERBUS 接口主控器(主机)不主动读写存储器时,器件内的刷新控制逻辑会管理 DRAM 阵列上的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作,因此在主机看来,DRA…电话咨询:86-755-83294757
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