商品名称：DRV8300UDIPWR
数据手册：
DRV8300UDIPWR.pdf
品牌：TI
年份：23+
封装：20-TSSOP
货期：全新原装
库存数量：3000 件
DRV8300UDIPWR 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。
产品属性：
驱动配置：高压侧和低压侧
通道类型：3 相
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：8.7V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：750mA，1.5A
输入类型：反相，非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：125 V
上升/下降时间（典型值）：24ns，12ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：20-TSSOP
基本产品编号：DRV8300
型号
品牌
封装
数量
描述
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