商品名称:DRV8300UDIPWR
数据手册:DRV8300UDIPWR.pdf
品牌:TI
年份:23+
封装:20-TSSOP
货期:全新原装
库存数量:3000 件
DRV8300UDIPWR 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。
产品属性:
驱动配置:高压侧和低压侧
通道类型:3 相
驱动器数:2
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 供电:8.7V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):750mA,1.5A
输入类型:反相,非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):125 V
上升/下降时间(典型值):24ns,12ns
工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装:20-TSSOP
基本产品编号:DRV8300
型号
品牌
封装
数量
描述
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