商品名称:FF400R07A01E3S6
数据手册:FF400R07A01E3S6.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封装:MODULE
货期:全新原装
库存数量:100 件
HybridPACKTM DSC S1 700V 400A 半桥 TRENCHSTOPTM 第 3 代 IGBT,包括增强柔软度匹配二极管,是紧凑型 IGBT 模制模块,专门用于混合动力和电动车辆。
特征描述
阻断电压能力提高,700 V
集成电流传感器
集成温度传感器
低电感设计
低开关损耗
T vj op = 150°C
短时间扩展工作温度 Tvj op = 175°C
2.5 kV 交流 1 分钟绝缘
双面冷却
紧凑型设计
符合 RoHS
潜在应用
•汽车应用
• 混合动力电动汽车(H)EV
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…IMBG40R011M2H
IMBG40R011M2H-CoolSiC™ MOSFET 400 V G2,采用 D2PAK-7 (TO-263-7) 封装,11 mΩ参数ID (@25C) 最大值 133 A 最低和最高工作温度:-55 C 175 C 封装 PG-TO263-7 极性 N 合格证书: 工业级 RDS (on) (@ Tj = 25C) :11.3 mΩ 最大 RthJC 0.35 K/W 最大 VDS 400 V CoolSiC…IMT40R015M2H
英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起,同时改善了系统成本。其开发目的是在 2 级和 3 级硬开关和软开关拓扑结构中提供出色的功率密度和系统效率。IMDQ75R060M1H
IMDQ75R060M1H CoolSiC MOSFET 750 V G1是一款高度鲁棒的SiC MOSFET,具有最佳的系统性能和可靠性。它在性能、可靠性和鲁棒性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,能够简化系统设计并提高效率和功率密度。特征高度稳定的750 V技术同类最佳RDS(on) x Qfr出色的Ron x Qoss 和…IMT40R011M2H
英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起,同时改善了系统成本。IMDQ75R090M1H
IMDQ75R090M1H 是一款高度鲁棒的750 V G1 SiC MOSFET,具有最佳的系统性能和可靠性。它在性能、可靠性和鲁棒性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,能够简化系统设计并提高效率和功率密度。优势硬切换的卓越效率支持更高的开关频率更高的可靠性承受超过500 V的总线电压抗寄…电话咨询:86-755-83294757
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