商品名称:FS380R12A6T4LBBPSA1
品牌:INFINEON
年份:21+
封装:MODULE
货期:全新原装
库存数量:100 件
这 HybridPACK™ 带 IGBT4 和二极管的驱动模块是一款符合汽车标准的电源模块,专为 混合动力和电动汽车应用. 产品 FS380R12A6T4LB 配有 PinFin 基板和高性能陶瓷。
规格参数
IGBT 类型 -
配置 3 个独立式
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 380 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) -
输入 标准
NTC 热敏电阻 无
工作温度 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 AG-HYBRIDD-2
优势
紧凑型设计
直冷底板和高性能陶瓷
集成 NTC 温度传感器
PressFIT 接触技术
符合 RoHS 标准
机械导向元件
电流感的长标签
潜在应用
汽车应用
混合动力电动汽车 (H)EV
电机驱动
商用农用车
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起,同时改善了系统成本。其开发目的是在 2 级和 3 级硬开关和软开关拓扑结构中提供出色的功率密度和系统效率。IMDQ75R060M1H
IMDQ75R060M1H CoolSiC MOSFET 750 V G1是一款高度鲁棒的SiC MOSFET,具有最佳的系统性能和可靠性。它在性能、可靠性和鲁棒性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,能够简化系统设计并提高效率和功率密度。特征高度稳定的750 V技术同类最佳RDS(on) x Qfr出色的Ron x Qoss 和…IMT40R011M2H
英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起,同时改善了系统成本。IMDQ75R090M1H
IMDQ75R090M1H 是一款高度鲁棒的750 V G1 SiC MOSFET,具有最佳的系统性能和可靠性。它在性能、可靠性和鲁棒性方面具有优势,具有栅极驱动灵活性,能够简化系统设计并提高效率和功率密度。优势硬切换的卓越效率支持更高的开关频率更高的可靠性承受超过500 V的总线电压抗寄…电话咨询:86-755-83294757
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