商品名称：NCD57090CDWR2G
数据手册：
NCD57090CDWR2G.PDF
品牌：ON
年份：23+
封装：8-SOIC
货期：全新原装
库存数量：1000 件
NCD57090CDWR2G 是具有 5 kVrms 内部电隔离的大电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，专为大功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。
产品特性
高峰值输出电流（+6.5A/-6.5A）
钳位压降低，无需使用负电源来防止栅极误导通（A/D/F 版本）
精确匹配的短传播延迟
短路期间的 IGBT/MOSFET 栅极钳位
IGBT/MOSFET 栅极主动下拉
严格的 UVLO 阈值实现偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负 VEE2（B 版）
3.3V、5V 和 15V 逻辑输入
5kVrms 电隔离
高瞬态抗扰度
高电磁抗扰度
典型应用
电机控制
不间断电源 (UPS)
汽车应用
工业电源
太阳能逆变器
型号
品牌
封装
数量
描述
答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独…
NB3U1548CDTR2G
NB3U1548CDTR2G是一款 LVCMOS、耐过压时钟扇出缓冲器，适用于高性能电信、网络和计算应用中的时钟发生。
NCV7708FDWR2G
NCV7708FDWR2G是一款全保护型六路半桥驱动器，特别适用于汽车和工业运动控制应用。
AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
AR0233ATSC17XUEA1-DPBR 图像传感器灵敏度极高，适用于各种汽车应用。它的有源阵列尺寸为 2048 x 1280，以每秒 60 帧的速度输出 1080p 画面。规格：部件状态：激活类型：CMOS像素尺寸：3 微米 x 3 微米有源像素阵列：2048H x 1280V每秒帧数：60封装/外壳：80-LBGA特性3.0…
SNXH160T120L2Q1PG
SNXH160T120L2Q1PG这款高密度集成电源模块结合了高性能 IGBT 和坚固耐用的反并联二极管。
NVMFD5C672NLT1G
NVMFD5C672NLT1G 是采用 5x6mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适合汽车应用。特点小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计低 RDS(on)，将…
NVMFD5C466NWFT1G
NVMFD5C466NWFT1G 是采用 5x6mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，具有 PPAP 能力，适合汽车应用。特点小尺寸（5x6 毫米），适合紧凑型设计低 RDS(on)，将…电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
