STGAP4S是一款用于 IGBT 和 SiC MOSFET 的电隔离单栅极驱动器,具有先进的保护、配置和诊断功能。STGAP4S 的架构通过真正的电隔离将通道栅极驱动与控制和低压接口电路隔离开来。独特的输出架构设计允许使用外部 MOSFET 推挽级,从而在电流能力尺寸方面提供了灵活性,并简化了多个电源开关的并联使用。2 个前置驱动器输出的电流能力和输出电压摆幅针对该拓扑结构进行了优化,并允许使用负栅极驱动电源。
功能特点
● 通过 AEC-Q100 认证
● 高达 1200 V 的高压轨
● 两个输出引脚,用于直接驱动外部 MOSFET 缓冲器
● 驱动器电流能力:
● OUT1:0.6/2.5 A 灌电流/源电流
● 输出 2:2.4/0.6 A 灌电流/源电流
● 负栅极驱动能力
● 在全温度范围内,dV/dt 瞬态抗扰度为 ±100 V/ns
● 用于隔离反激式电源的集成控制器
● 用于外部 N 沟道 MOSFET 的有源米勒钳位驱动器
● 可编程去饱和检测
● 可编程过流检测
应用
● 电动汽车/混合动力汽车逆变器
● 600/1200 V 工业逆变器
● 电动汽车充电站
● UPS 设备
● 交流/交流转换器
● 直流/直流转换器
● 太阳能逆变器
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意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%;营业…
STL175N4LF8AG
STL175N4LF8AG是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 STripFET F8 技术设计,具有增强型沟槽栅极结构。STL170N4LF8
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这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术,具有增强型沟槽栅结构。STL165N10F8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术,具有增强型沟槽栅极结构,导通电阻极低,同时还能降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关。STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术,具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询:86-755-83294757
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