VNLD5090-E是一款采用意法半导体VIP电源技术制造的单片器件，用于驱动一侧与电池相连的电阻或电感负载。内置的热关断功能可保护芯片免受过热和短路的影响。过温和短路。输出电流 限制，在过载情况下保护器件 条件下保护器件。在长时间过载的情况下，该器件将耗散的功率限制在安全水平。器件将耗散的功率限制在一个安全的水平上。直到热关断干预。带有自动重启功能的热关断，允许设备在过载时尽快恢复正常运行。带有自动重启功能的热关断允许设备在故障条件消失后立即恢复正常运行。带有自动重启功能的热关机允许设备在故障条件消失后立即恢复正常运行。快速退磁 在关机时实现电感负载的快速退磁。
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意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…
STL175N4LF8AG
STL175N4LF8AG是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟槽栅极结构。
STL170N4LF8
STL170N4LF8是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技术设计，具有增强型沟道栅极结构。
ST25R100-CMET
ST25R100-CMET多用途 NFC 收发器采用 4x4 mm 小型封装，具有高端性能，为各种终端应用带来了非接触式交互的便利和功能。它特别针对消费和工业领域的终端产品进行了优化。
STL305N4LF8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅结构。
STL165N10F8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导通电阻极低，同时还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。
STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术，具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询：86-755-83294757
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