商品名称:IXFN90N170SK
数据手册:IXFN90N170SK.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封装:SOT-227B
货期:全新原装
库存数量:1000 件
IXFN90N170SK具有高速开关,低电容,且阻断电压高,RDS(on)低,易于并联,驱动简单,采用抗闩锁,真正的开尔文源连接,隔离电压为3000 V~,是行业标准外形,且符合 RoHS 规范和环氧树脂符合 UL 94V-0 标准,底板采用氮化铝隔离,先进的功率循环。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss):1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 100A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 36mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):376 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7340 pF @ 1000 V
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
供应商器件封装:SOT-227B
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
应用
● 太阳能逆变器
● 高压 DC/DC 转换器
● 电机驱动器
● 开关模式电源
● 不间断电源
● 电池充电器
● 感应加热
型号
品牌
封装
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描述
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IXYS(中文名: 艾赛斯)总部位于美国硅谷,1983年成立,主营:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域,产品技术特点为高压、高功率,涵盖了…
IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 是 IXYS推出的 N沟道功率MOSFET,属于 HiPerFET™ X2-Class 系列,采用 TO-247-4L 封装,适用于高频开关电源、电机驱动及工业逆变器 等应用。DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封装,适用于高功率整流、工业电源、电机驱动等应用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N沟道功率MOSFET,属于 HiPerFET™ Polar3™ 系列,专为高功率开关应用设计。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1绝缘栅双极晶体管(IGBT) 提供高达150 kHz的开关能力,电流范围为66A。高开关速度和低传导损耗的结合为电源设计人员提供了一种新的高价值开关应用选择。该产品具有以下主要参数:IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要用于10-30kHz的开关应用。该产品具有以下主要参数:IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 A电流 - 集电极脉冲 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻,优化用于实现低开关损耗。其特点和技术规格如下:特点经过优化用于低开关损耗正热系数VCE(sat)国际标准封装大电流处理能力功率密度大栅极驱动要求低反向并联sonic二…电话咨询:86-755-83294757
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