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MPQ1923GRE-AEC1 是一款高频 N 沟道 MOSFET 半桥栅极驱动器。该器件的低压侧 MOSFET (LS-FET) 和高压侧 MOSFET (HS-FET) 驱动器通道可独立控制，匹配时延小于 5ns。

产品特性

驱动一个 N 沟道 MOSFET 半桥

低压差，具有 4.5V 欠压锁定 (UVLO) 下降阈值

120V 自举电压 (VBST) 范围

片上自举二极管

20ns 典型传播延迟

12V VDD 时 8A 灌电流，7A 源电流

<5ns 栅极驱动器匹配时间延迟

在 12V VDD 电压下，以 7.2ns 上升时间 (tRISE) 和 5.5ns 下降时间 (tFALL) 驱动 1nF 负载

TTL 兼容输入

<300µA 静态电流 (IQ)

HS-FET 和 LS-FET 栅极驱动器的 UVLO 保护

采用 QFN-10（4mmx4mm）和 QFN-8（4mmx4mm）封装

应用

电机驱动器

电信半桥电源

航空电子 DC/DC 转换器

双开关正向转换器

有源钳位正向转换器

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