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STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。该器件完全符合工业级标准。STL320N4LF8可降低导通电阻和开关损耗，同时优化体漏极二极管特性。该MOSFET节能，确保电源转换和电机控制电路中的噪声低。

属性

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 360 A

Rds On-漏源导通电阻: 800 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 43 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

应用

开关应用

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。