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SGT120R65AL 是一款 650 V、15 A e-mode PowerGaN 晶体管，采用了成熟的封装技术。由此产生的 G-HEMT 器件具有极低的传导损耗、高电流能力和超快的开关操作，从而实现了高功率密度和无与伦比的能效表现。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 5A，6V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 12mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：3 nC @ 6 V

Vgs（最大值）：+6V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：125 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：192W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）HV

封装/外壳：8-PowerVDFN

产品特性

增强型常闭晶体管

极高的开关速度

高功率管理能力

极低电容

开尔文源极垫，可实现最佳栅极驱动

零反向恢复电荷

应用

平板电脑、笔记本电脑和 AIO 适配器

USB Type-C PD 适配器和快速充电器

无线充电器

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。