商品名称:UCC21750QDWQ1
数据手册:UCC21750QDWQ1.pdf
品牌:TI
年份:23+
封装:SOIC-16
货期:全新原装
库存数量:2000 件
UCC21750QDWQ1是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21750QDWQ1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移 ,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。
特性
• 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
– 器件温度等级 0:-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
– 器件 HBM ESD 分类等级 3A
– 器件 CDM ESD 分类等级 C6
• 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大输出驱动电压 (VDD – VEE)
• ±10A 驱动强度和分离输出
• 150V/ns 最小 CMTI
• 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
• 4A 内部有源米勒钳位
• 发生故障时的 400mA 软关断
• 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
– 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
– 高电压直流链路或相电压
• 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
• 针对 RST/EN 的快速启用和禁用响应
• 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
• RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
• 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
• 130 ns(最大)传播延迟和 30 ns(最大)脉冲/器件间偏移
• SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
• 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
• 安全相关认证:
– 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的增强型绝缘
– UL 1577 组件认证计划
应用
• 适用于 EV 的牵引逆变器
• 车载充电器和充电桩
• 用于 HEV/EV 的直流/直流转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
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