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嵌入式和网络处理器

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IGW40N120H3FKSA1

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 483 W 通孔 PG-TO247-3-1

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGW30N60H3FKSA1

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 187 W 通孔 PG-TO247-3-1

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGP30N65H5XKSA1

产品说明:IGBT 沟道 650 V 55 A 188 W 通孔 PG-TO220-3

封装:PG-TO220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYK120N120C3

产品说明:IGBT 1200 V 240 A 1500 W 通孔 TO-264(IXYK)

封装:TO-264
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH10N170C

产品说明:IGBT 1700 V 36 A 280 W 通孔 TO-247(IXYH)

封装:TO-247
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXXX160N65B4

产品说明:IGBT PT 650 V 310 A 940 W 通孔 PLUS247™-3

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXGA30N120B3

产品说明:IGBT PT 1200 V 60 A 300 W 表面贴装型 TO-263AA

封装:TO-263AA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30TSX2GC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH80TK65GC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM

封装:TO-3PFM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW50N65EH5XKSA1

产品说明:IGBT 沟道 650 V 80 A 275 W 通孔 PG-TO247-3

封装:PG-TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH50TK65DGC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 26 A 59 W 通孔 TO-3PFM

封装:TO-3PFM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGCL60TS60DGC13

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 48 A 111 W 通孔 TO-247G

封装:TO-247G
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH50TS65DGC13

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 50 A 174 W 通孔 TO-247G

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA50M65DF2
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-247 长引线

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGB19NC60HDT4
ST

产品说明:650 V、8 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-220 封装

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKA08N65H5XKSA1

产品说明:IGBT 650 V 10.8 A 31.2 W 通孔 PG-TO220-3-111

封装:TO-220-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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