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嵌入式和网络处理器

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NTBGS6D5N15MC
ON

产品说明:功率 MOSFET 150V 6.5mΩ 单 N 沟道晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVD3055-094T4G-VF01
ON

产品说明:N 沟道功率 MOSFET 60V、12A、94mΩ 晶体管

封装:TO-252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FCH041N65EF-F155
ON

产品说明:功率 MOSFET N 沟道 SUPERFET II FRFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FCH041N65F-F085
ON

产品说明:N 沟道 SuperFET II™ FRFET MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RFD12N06RLESM9A
ON

产品说明:N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS0D7N04XMT1G
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 134W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装:5-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS4C910NAT3G
ON

产品说明:单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,52A,5.8mΩ

封装:DFN-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS4C908NAT3G
ON

产品说明:单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,52A,5.8mΩ

封装:DFN-8
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL075N065SC1
ON

产品说明:MOSFET - SiC 功率,单路N 沟道,TO247-3L 650 V、57 m、38 A

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG060N065SC1
ON

产品说明:N 沟道 650 V 46A (Tc) 170W (Tc) 表面贴装

封装:TO-263-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL080N120SC1A
ON

产品说明:N 沟道 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) 通孔

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS10N3D2C
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 100 V 151A(Tc) 138W(Tc) Power56

封装:8-PowerTDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTP150N65S3HF
ON

产品说明:通孔 N 通道 650 V 24A(Tc) 192W(Tc) TO-220-3

封装:TO-220-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FDBL86366-F085
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 80 V 220A(Tc) 300W(Tj) 8-HPSOF

封装:8-HPSOF
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C426NAFT1G
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 41A(Ta),235A(Tc) 3.8W(Ta),128W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装:8-PowerTDFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVB150N65S3F
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 650 V 24A(Tc) 192W D²PAK-3(TO-263-3)

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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