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NVB150N65S3F是 onsemi 的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这一先进技术可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适合各种电源系统的小型化需求。优化了体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。

产品特性

晶体管类型：N 沟道晶体管

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏极至源极电压 (Vdss)： 150 В

25°C 时的电流 - 连续漏极 (Id)： 9.3A（Ta），28A（Tc）

电源电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V 6V、10V

不同 Id、Vgs 时的开关电阻（最大值）：9.3A、10V 时为 17 mOhm

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4 V @ 250 µA

最大 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 10 V 时为 42 nK

Vgs（最大值）： ±20 V

不同 Vds（最大值）下的输入电容 (Ciss) 2955 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）： 3.2 W（Ta 3.2 W (Ta)，125 W (Tc)

工作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型：表面贴装

交货范围：8-PQFN (5x6)

封装/外壳：8-PowerTDFN

应用

● 汽车板载充电器

● 用于混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器

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