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嵌入式和网络处理器

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ST25R3911B-AQFT
ST

产品说明:RFID 阅读器 IC 13.56MHz ISO 14443,NFC SPI 2.4V ~ 5.5V 32-VFQFN 裸露焊盘

封装:VFQFN-32
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S2-LPQTR
ST

产品说明:射频收发器 - 超低功耗、高性能、Sub-1GHz 收发器

封装:VFQFN-24
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
M24SR02-YDW6T/2
ST

产品说明:RFID 应答器 IC 13.56MHz ISO 14443,NFC I2C 2.7V ~ 5.5V 8-TSSOP

封装:TSSOP-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BLUENRG-132
ST

产品说明:射频片上系统 - SoC 可编程蓝牙 LE 5.2 无线 SoC

封装:VFQFN-32
10起
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STFW69N65M5
ST

产品说明:N 沟道 MDmesh M5 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-3PF
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STA8100GATR
ST

产品说明:射频接收器 北斗、Galileo、GLONASS、GNSS、GPS 12Mbps 不包括 81-LFBGA (8x8)

封装:LFBGA-81
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL76DN4LF7AG
ST

产品说明:汽车级双 N 沟道 STripFET™ F7 功率 MOSFET 晶体管

封装:8-PowerVDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW88N65M5
ST

产品说明:N 沟道 650V 24mΩ 84A MDmesh M5 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STWA65N023M9
ST

产品说明:N 沟道 650V 19.9mΩ 92A MDmesh M9 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA40H120DF2
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 468 W 通孔 TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BLUENRG-M0L
ST

产品说明:蓝牙 v4.2 RF 收发器模块 2.4GHz ~ 2.4835GHz 集成式,芯片 表面贴装型

封装:11-SMD
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA50M65DF2
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 375 W 通孔 TO-247 长引线

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGB19NC60HDT4
ST

产品说明:650 V、8 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-220 封装

封装:TO-263-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW40M120DF3
ST

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 468 W 通孔 TO-247-3

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW75N65ES5XKSA1
ST

产品说明:TRENCHSTOPTM5 软开关IGBT

封装:PG-TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW30NC60WD
ST

产品说明:IGBT 30 A、600 V 超高速 IGBT

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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