到2022年底,三星、美光等三大存储半导体制造商合计拥有前沿制程产能的76%,其中绝大部分用于先进DRAM和3D NAND生产。
3月4日消息,据研究机构Knometa Research发布的全球晶圆产能报告分析,到2022年底,三星、美光等三大存储半导体制造商合计拥有前沿制程产能的76%,其中绝大部分用于先进DRAM和3D NAND生产。
根据该机构的划分标准,前沿产能包括代工厂3-6nm、英特尔4-7nm、DRAM厂商11-14nm、NAND厂商大于176层3D NAND;其余前道IC制造产能又按”次前沿“制程(代工7-16nm)、成熟制程(20nm-0.11µm)、大线宽制程(0.13微米以上工艺)进行分类。
报告还显示,到2022年底,三星是业界前沿和次前沿产能的最大拥有者。该公司是业界最大的DRAM和NAND闪存产品供应商,也是低功耗等先进逻辑产品的最大制造商之一。
代工巨头台积电在所有四个制程类别中均名列前五,该公司目前拥有39条晶圆厂生产线,可提供多样化的工艺技术组合,联电和中芯国际等其他纯代工厂在成熟技术领域发挥着重要作用。
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