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INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER™ NOR 闪存 IC

INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER™ NOR 闪存 IC

来源:本站时间:2024-12-02浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司供应 INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER™ NOR 闪存 ICS26HS512TGABHI003 的产品说明S26HS512TGABHI003 是英飞凌 SEMPER™ NOR 闪存系列的成员,密度高达 512 Mbit。该器件在 HYPERBUS 接口上工作,带宽为 400 MByte/s,工作电压为 1.8 …

深圳市明佳达电子有限公司供应 INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER™ NOR 闪存 IC


S26HS512TGABHI003 的产品说明

S26HS512TGABHI003 是英飞凌 SEMPER™ NOR 闪存系列的成员,密度高达 512 Mbit。该器件在 HYPERBUS 接口上工作,带宽为 400 MByte/s,工作电压为 1.8 V,接口频率高达 200 MHz (DDR),采用坚固的英飞凌 PG-BGA-24 封装。


英飞凌 SEMPER™ 闪存系列产品是高速 CMOS、MIRRORBIT™ NOR 闪存器件,兼容 JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) 规范。SEMPER™ 闪存专为功能安全而设计,其开发符合 ISO 26262 标准,可实现 ASIL-B 合规性和 ASIL-D 就绪性。


S26HS512TGABHI003 参数

密度:512 MBit

系列:HS-T

接口带宽:400 MByte/s

接口频率:200 MHz

接口:HYPERBUS

引脚球表面处理:锡/银/铜

工作温度:-40 °C - 85 °C

工作电压:1.8 V 1.7 V 2 V

峰值回流焊温度:260 °C


S26HS512TGABHI003 的特点

英飞凌 45 纳米 MIRRORBIT™ 技术,在每个存储器阵列单元中存储两个数据位

扇区架构选项

256 或 512 字节的页面编程缓冲区

1024 字节(32 × 32 字节)的 OTP 安全硅区 (SSR)

HYPERBUS™ 接口

带有 HYPERBUS™ 接口的 SEMPER™ 闪存支持传统 SPI (x1) 或 HYPERBUS™ 接口 (x8) 默认启动

自动启动功能可在上电后立即访问存储器阵列

通过 CS# 信号方法(JEDEC)和单独的 RESET# 引脚进行硬件复位

描述器件功能和特性的串行闪存可发现参数 (SFDP)

设备标识、制造商标识和唯一标识 


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