深圳市明佳达电子有限公司【供应】英飞凌 GS-065-018-2-L-MR CoolGaN™晶体管650 V ≤G3，具有极高的效率和可靠性。概述：GS-065-018-2-L-MR是一款增强型硅基 GaN 功率晶体管。 GaN 的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。 采用 8x8 mm PDFN 封装的底部冷却晶体管，…
深圳市明佳达电子有限公司【供应】英飞凌 GS-065-018-2-L-MR CoolGaN™晶体管650 V ≤G3，具有极高的效率和可靠性。
概述：
GS-065-018-2-L-MR是一款增强型硅基 GaN 功率晶体管。 GaN 的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。 采用 8x8 mm PDFN 封装的底部冷却晶体管，可实现现代 USB-C 适配器和充电器或服务器和数据中心应用所需的理想功耗。
年份：24+
封装：PDFN 8x8
描述：表面贴装型 N 通道 650 V 18A（Tc） 8-PDFN（8x8）
特征描述
增强型 HEMT – 常闭
超快开关
无反向恢复电荷
具有反向导通能力
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向强度
符合JEDEC标准（JESD47、JESD22）
底部冷却
零反向恢复损耗
源极检测焊盘可实现最佳栅极驱动
快速、可控的下降和上升时间
符合 RoHS 3(6+4) 标准
应用领域
AC-DC
USB供电-USB PD适配器和充电器
电源
工业
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