深圳市明佳达电子有限公司【收购】英飞凌具有极高的效率和可靠性的 GS-065-030-6-LR-MR CoolGaN™晶体管700 V G4描述：英飞凌700V CoolGaN™功率晶体管是增强模式硅基氮化镓功率晶体管，具有大电流、高电压击穿和高开关频率特性。该GaN系统创新采用行业领先的技术，如获得…
深圳市明佳达电子有限公司【收购】英飞凌具有极高的效率和可靠性的 GS-065-030-6-LR-MR CoolGaN™晶体管700 V G4
描述：
英飞凌700V CoolGaN™功率晶体管是增强模式硅基氮化镓功率晶体管，具有大电流、高电压击穿和高开关频率特性。该GaN系统创新采用行业领先的技术，如获得专利的Island Technology® 单元布局，实现了大电流裸芯和高产量。这些700V CoolGaN功率晶体管可在电源开关中实现超高功率密度设计和高系统效率。GS-065功率晶体管采用底部冷却PDFN封装。
产品属性：
FET 类型： N 通道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 @ 5.5A，6V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V @ 7.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC @ 6 V
Vgs（最大值）： +7V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 235 pF @ 400 V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： 8-PDFN（8x8）
封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘
该功率晶体管具有非常低的结壳热阻，因此非常适合用于要求苛刻的大功率应用。其中一些应用包括数据中心和计算解决方案、电源适配器、LED照明驱动器、开关模式电源 (SMPS)、无线电源传输和电机驱动器。
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