H5UG7HME03X020R是一款用于数据中心、超级计算机和人工智能领域尖端技术的最新高带宽存储器。产品：H5UG7HME03X020R类型：DRAM, DDR5密度：16GbKGSD密度：128Gb速度：6.0Gbps组织：x1024电压：1.1V封装：8Hi产品介绍：SK hynix通过开发HBM3巩固了其在高速DRAM领域的领导地…
H5UG7HME03X020R是一款用于数据中心、超级计算机和人工智能领域尖端技术的最新高带宽存储器。
类型：DRAM, DDR5
密度：16Gb
KGSD密度：128Gb
速度：6.0Gbps
组织：x1024
电压：1.1V
封装：8Hi
产品介绍：
SK hynix通过开发HBM3巩固了其在高速DRAM领域的领导地位，HBM3是数据中心、超级计算机和人工智能领域尖端技术的最新高带宽存储器。
先进的散热技术：
在相同的工作电压水平下，HBM3的运行温度低于HBM2E，增强了服务器系统环境的稳定性。在相同的工作温度下，SK hynix HBM3可以支持12芯片堆栈，容量是HBM2E的1.5倍，6Gbps I/O速度的带宽是HBM2E的1.8倍。因此，SK hynix在相同的工作条件下具有更大的冷却能力，实现了其Memory ForEST*计划。
性能提升：
SK hynix HBM3的容量是HBM2E的1.5倍，由12个DRAM芯片堆叠而成，总封装高度相同，适合AI和HPC等功率容量密集型应用。单个立方体可以产生高达819GB/s的带宽，而在同一芯片上具有六个HBM芯片的SiP(系统级封装)可以实现高达4.8TB/s的带宽，以支持exascale需求。
片上 ECC：
SK hynix HBM3还具有一个强大的定制设计的片内ECC(纠错码)，它使用预先分配的奇偶校验位来检查和纠正接收数据中的错误。嵌入式电路允许DRAM自校正单元内的错误，显著增强了器件的可靠性。
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