深圳市明佳达电子有限公司供应和求购英飞凌 IQE220N15NM5 OptiMOS™ 5 低压功率 MOSFET 150 V，采用 PQFN 3.3x3.3 降源封装，收购N-通道功率MOSFET描述IQE220N15NM5属于 Source-Down 系列，RDS(on) 为 22 mOhm。Source-Down 技术采用翻转硅芯片，在元件内部倒置。它提高了…
深圳市明佳达电子有限公司供应和求购英飞凌 IQE220N15NM5 OptiMOS™ 5 低压功率 MOSFET 150 V，采用 PQFN 3.3x3.3 降源封装，收购N-通道功率MOSFET
描述
IQE220N15NM5属于 Source-Down 系列，RDS(on) 为 22 mOhm。Source-Down 技术采用翻转硅芯片，在元件内部倒置。
它提高了散热能力，改善了功率密度和布局可能性。新技术有标准栅极和中心栅极（针对并行化进行了优化）两种不同的基底面。
特性
RDS(on) 为 22 mOhm
与 PQFN 封装相比，RthJC 更好
提供标准栅极基底面
新的优化布局可能性
优势
最高功率密度和性能
优异的热性能
有效利用空间
标准栅极便于布局安装
改善 PCB 损耗
减少寄生
潜在应用
驱动
SMPS
服务器
电信
电池管理
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