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集成电路（IC）

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物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

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无线连接

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分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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STD20NF06LAG：汽车级N沟道60 V、24 A STripFET II功率MOSFET

STD20NF06LAG：汽车级N沟道60 V、24 A STripFET II功率MOSFET

来源：本站时间：2024-08-24浏览数：

STD20NF06LAG：汽车级N沟道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封装介绍：STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半导体独特的STripFET工艺开发的，该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作高级高效隔离式DC-DC转换器的主开关，…

STD20NF06LAG：汽车级N沟道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封装


介绍：

STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半导体独特的STripFET工艺开发的，该工艺专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作高级高效隔离式DC-DC转换器的主开关，适合电信和计算机应用，以及具有低栅极电荷驱动要求的应用。


详细参数

STD20NF06LAG：

制造商：STMicroelectronics

产品种类：MOSFET

技术：Si

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：DPAK-3 (TO-252-3)

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：60 V

Id-连续漏极电流：24 A

Rds On-漏源导通电阻：40 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5 V

Qg-栅极电荷：13 nC

最小工作温度：- 55°C

最大工作温度：+ 175°C

Pd-功率耗散：60 W

通道模式：Enhancement

资格：AEC-Q101

商标名：STripFET

系列：STD20NF06LAG

封装：Reel

封装：Cut Tape

封装：MouseReel

配置：Single

下降时间：12 ns

产品类型：MOSFETs

上升时间：50 ns

晶体管类型：1 N-Channel

典型关闭延迟时间：20 ns

典型接通延迟时间：11 ns

单位重量：360 mg


意法半导体STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET 返回
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