欢迎来到深圳市明佳达电子有限公司

中文

English

English

日本語

日本語

Русский

Русский

chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com

在线客服

topadv

深圳市明佳达电子有限公司

型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 RS-232接口集成电路视频放大器 CAN 收发器服务器管理处理器高带宽总线开关差动放大器模拟交叉点开关 HDMI发送器激光驱动器模拟开关 IC 超声波接收器多路复用器和解复用器视频处理器视频编码器接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片接口 - 重定时器跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器仪表放大器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组物联网模组新能源模组车规级模组智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组物联网芯片

滤波器

带阻滤波器低通滤波器带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器有源滤波器 RF 滤波器高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块无线网卡芯片蓝牙模块 WiFi 无线模块蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个双极（BJT）晶体管碳化硅（SiC）JFET 硅二极管电源模块射频晶体管功率 MOSFET 模块碳化硅（SIC）FET 模块碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块晶闸管二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管二极管与整流器肖特基二极管与整流器单齐纳二极管双极晶体管阵列功率驱动器模块二极管 - 整流器 - 单晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品电压基准电池管理升压控制器以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

加速度计磁阻传感器角度传感器霍尔效应开关电感式传感器霍尔效应锁存器和开关生物传感器飞行时间传感器传感器信号调节器光学传感器流量传感器板上安装湿度传感器生物识别传感器速度传感器湿度传感器霍尔效应电流传感器超声波传感器光学传感器，光电二极管湿度、湿敏传感器光学探测器和传感器 - 红外探测器板上安装温度传感器气体传感器位置传感器工业毫米波雷达传感器

存储器

NOR 闪存非易失性存储器随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC 伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

最新资讯: 公司动态; 行业资讯

首页 /公司动态 /

意法半导体STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET

意法半导体STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET

来源：本站时间：2024-08-24浏览数：

概述：意法半导体STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高压N沟道功率MOSFET，具有齐纳保护功能和100%雪崩。该MOSFET还具有超低栅极电荷、30V栅极-源极电压、83W总功耗、全球RDS(ON) x 面积以及全球品质因数（ FOM）。该MOSFET的工作结温范围为-55C至150C，采用…

概述：

意法半导体STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高压N沟道功率MOSFET，具有齐纳保护功能和100%雪崩。该MOSFET还具有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、83W总功耗、全球RDS(ON) x 面积以及全球品质因数（ FOM）。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C，采用DPAK（TO-252）A2型封装。典型应用包括反激式转换器、LED照明以及平板电脑和笔记本电脑。

特性

超低栅极电荷

全球RDS(ON) x 面积

全球品质因数（FOM）

±30V栅极-源极电压

总功率耗散：83W

应用

反激式转换器

LED照明

平板电脑和笔记本电脑适配器

产品封装.png

详细参数

产品种类：MOSFET

RoHS：详细信息

技术：Si

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：DPAK-3 (TO-252-3)

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：800 V

Id-连续漏极电流：10 A

Rds On-漏源导通电阻：450 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压：3 V

Qg-栅极电荷：17.3 nC

最小工作温度：- 55°C

最大工作温度：+ 150°C

Pd-功率耗散：83 W

通道模式：Enhancement

封装：Reel

封装：Cut Tape

封装：MouseReel

商标：STMicroelectronics

配置：Single

下降时间：12.7 ns

产品类型：MOSFETs

上升时间：4 ns

工厂包装数量：2500

子类别：Transistors

典型关闭延迟时间：28.8 ns

典型接通延迟时间：10.6 ns

分销Intel英特尔FPGA芯片（Agilex™ 9、7、5 和 3 FPGA）返回
列表 STD20NF06LAG：汽车级N沟道60 V、24 A STripFET II功率MOSFET

新闻推荐

推荐产品

88E1112-C2-NNC1C000

88E1112-C2-NNC1C000

VSC7425XJG-02

VSC7425XJG-02

VSC7552TSN-V/5CC

VSC7552TSN-V/5CC

VSC7427XJG-02

VSC7427XJG-02

88E6190-A0-TLA2C000

88E6190-A0-TLA2C000

XC6VLX195T-2FFG784C

XC6VLX195T-2FFG784C

公司介绍: 关于我们; 新闻资讯; 荣誉资质

库存查询: 分类查询; 供应商查询

帮助中心: 在线询价; 常见问题; 网站地图

联系我们: 电话咨询：86-755-83294757; 企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585; 服务时间：9:00-18:00; 联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com; 公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室; CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有粤ICP备05062024号-12

官方二维码

品牌索引:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

友情链接: