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Infineon — F3L8MR12W2M1HPB11 三电平1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy模块

Infineon — F3L8MR12W2M1HPB11 三电平1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy模块

来源:本站时间:2024-08-08浏览数:

F3L8MR12W2M1HPB11模块是一款英飞凌EasyPACK™ 2B 1200 V / 8 mΩ 三电平模块,采用具有增强型第一代沟槽技术的CoolSiC™ MOSFET、集成式NTC温度传感器、预涂热界面材料和PressFIT 压接技术。特性• 电气特性- VDSS = 1200 V- IDN = 100 A / IDRM = 200 A- 高电流密度- 低…

F3L8MR12W2M1HPB11模块是一款英飞凌EasyPACK™ 2B 1200 V / 8 mΩ 三电平模块,采用具有增强型第一代沟槽技术的CoolSiC™ MOSFET、集成式NTC温度传感器、预涂热界面材料和PressFIT 压接技术。

产品封装.png

特性

• 电气特性

- VDSS = 1200 V

- IDN = 100 A / IDRM = 200 A

- 高电流密度

- 低开关损耗

• 机械特性

- 集成的安装夹使安装坚固

- 集成 NTC 温度传感器

- PressFIT 压接技术

- 预涂导热介质


应用

• 太阳能应用

• 三电平应用

• 电动车直流充电


产品认证

• 根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试,符合工业应用的要求。


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