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产品分类

集成电路（IC）

以太网 RS-232接口集成电路 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

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ROHM BM3G007MUV-LBE2 650V GaN HEMT氮化镓晶体管

ROHM BM3G007MUV-LBE2 650V GaN HEMT氮化镓晶体管

来源：本站时间：2024-08-02浏览数：

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC设计用于要求苛刻的电子系统。描述：BM3G007MUV-LBE2器件非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT和Si驱动器集成于ROHM自有封装，与以往的分立解决方案相比，由PCB布线和引线键合…

ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC设计用于要求苛刻的电子系统。

产品图片.jpg

描述：

BM3G007MUV-LBE2器件非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT和Si驱动器集成于ROHM自有封装，与以往的分立解决方案相比，由PCB布线和引线键合引起的寄生电感大大降低，可实现高达150V/ns的开关速度。另外，其栅极驱动强度可调节，这非常有助于降低EMI。该产品还内置各种保护功能和其他附加功能，可优化成本和PCB尺寸。该IC的设计旨在通用于现有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率开关。


特征：

Nano CAP™集成输出可选5V LDO

为工业应用提供长期支持产品

宽工作范围，适用于VDD 引脚电压

IN引脚电压的宽工作范围

低VDD 静态和工作电流

低传播延迟

高dv/dt抗噪性

可调栅极驱动器强度

电源良好信号输出

VDD UVLO保护

热关断保护


应用：

工业设备

电源与大功率密度

高效需求

桥拓扑结构如图腾柱PFC

LLC电源

适配器

供应英飞凌功率产品：MOSFET 晶体管、Si 驱动器、IGBT 模块、智能功率模块 返回
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