回收ST功率晶体管：IGBT、功率MOSFET、功率GaN、SiC MOSFET

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回收ST功率晶体管：IGBT、功率MOSFET、功率GaN、SiC MOSFET

来源：本站时间：2025-07-22浏览数：

深圳明佳达电子有限公司回收ST功率晶体管：IGBT、功率MOSFET、功率GaN、SiC MOSFET深圳明佳达电子有限公司作为中国领先的电子元件回收服务提供商，凭借其专业的行业 expertise、全球回收网络及符合规范的处置流程，为各类企业提供涵盖多种电子元件产品的全面回收服务。这…

深圳明佳达电子有限公司回收ST功率晶体管：IGBT、功率MOSFET、功率GaN、SiC MOSFET

深圳明佳达电子有限公司作为中国领先的电子元件回收服务提供商，凭借其专业的行业 expertise、全球回收网络及符合规范的处置流程，为各类企业提供涵盖多种电子元件产品的全面回收服务。这些服务涵盖广泛的产品类别，包括集成电路、5G芯片、新能源IC、物联网IC、蓝牙IC、车联网（V2X）IC、汽车级IC、通信IC、人工智能（AI）IC、存储IC、传感器IC、微控制器IC、收发器IC、以太网IC、 Wi-Fi芯片、无线通信模块、连接器等。这有助于客户减少库存、最小化存储空间，并降低存储和管理成本。

回收流程：

如果您有需要处理的库存电子元件，您可以通过邮件列出您希望出售的IC/模块。我司将派遣专业人员到贵公司现场进行初步检查和分类，并根据回收元件的类型、数量和质量等因素提供相应的回收价格。达成协议后，可协商具体的交付安排。

【IGBTs】

ST提供涵盖300至1700V电压范围的绝缘栅双极晶体管（IGBT）全面产品组合，属于STPOWER系列。

导通与关断能量损耗的最佳平衡

最高结温可达175°C

宽广的开关频率范围

提供抗并联二极管封装选项，以提升功率散热并实现最佳热管理。

应用领域

ST IGBT 通过在开关性能与导通状态行为之间实现最佳平衡，适用于工业及汽车（AEC-Q101 认证）领域，包括通用逆变器、电机控制、家用电器、暖通空调、UPS/SMPS、焊接设备、感应加热、太阳能逆变器、牵引逆变器以及车载充电器与快充设备等应用。

【功率MOSFET】

ST功率MOSFET产品组合提供从-100V到1700V的广泛击穿电压范围，结合先进封装技术、低栅极电荷和低导通电阻。我们的工艺技术通过增强功率处理能力，利用MDmesh和STMESH沟槽式高压功率MOSFET以及STripFET低压功率MOSFET，确保高效率解决方案。

应用领域

服务器与电信电源

微型逆变器

快速充电

汽车

家用及专业电器

【PowerGaN】

ST POWER GaN 晶体管是基于氮化镓（GaN）的高效晶体管，这种新型宽禁带化合物在电源转换解决方案中提供了真正的附加价值。

当今电力电子技术面临的主要挑战是，在不断提升效率和功率性能的同时，持续追求成本和体积的缩减。

氮化镓（GaN）技术的引入正朝着这一方向发展，随着其商业化应用的日益普及，其在电源转换应用中的使用也在不断增长。

与硅基器件相比，GaN功率晶体管具有更优的性能指标（FOM）、更低的导通电阻（RDS(on)）和更小的总栅极电荷（QG），同时具备更高的漏源电压承受能力、零反向恢复电荷（或在级联结构中可忽略不计）以及极低的内在电容。作为提升电源转换应用效率的领先解决方案，GaN技术能够满足最严苛的能效要求并实现更高功率密度，因其可在更高频率下工作，从而缩小系统尺寸。STPOWER GaN晶体管在工业和汽车应用中代表了效率与高频解决方案的重大突破。

【SiC MOSFETs】

借助STPOWER SiC MOSFETs打造比以往更高效、更紧凑的系统

借助SiC MOSFET，将创新的宽禁带材料（WBG）优势融入您的下一代设计。ST的碳化硅MOSFET提供650至2200 V的扩展电压范围，其先进技术平台结合了卓越的开关性能与极低的单位面积导通电阻。

我们的SiC MOSFET主要特点包括：

汽车级（AG）认证器件

极高的温度处理能力（最大TJ=200°C）

极高的开关频率操作和极低的开关损耗

低导通电阻

与现有IC兼容的栅极驱动

极快且坚固的内在体二极管

我们的SiC MOSFET产品组合包括最先进的封装（HiP247、H2PAK-7、TO-247长引脚、STPAK和HU3PAK），专门设计以满足汽车和工业应用的严格要求。

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