深圳市明佳达电子有限公司【供应功率MOSFET】全新原装 IRFI4020H-117P 采用 TO-220 FullPak 封装的 200V 双 N 沟道数字音频 StrongIRFET™ 功率 MOSFET描述:StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(导通)和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求性能和坚固性…
深圳市明佳达电子有限公司【供应功率MOSFET】全新原装 IRFI4020H-117P 采用 TO-220 FullPak 封装的 200V 双 N 沟道数字音频 StrongIRFET™ 功率 MOSFET
描述:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(导通)和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可满足包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器在内的广泛应用。
IRFI4020H-117P—MOSFET - 阵列 200V 9.1A 21W 通孔 TO-220-5 整包
产品属性:
制造商: Infineon Technologies
包装: 管件
技术: MOSFET(金属氧化物)
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1240pF @ 25V
功率 - 最大值: 21W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-5 整包
供应商器件封装:TO-220-5 整包
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