深圳市明佳达电子有限公司进口原装英飞凌推出汽车级MOSFET（IPW65R115CFD7A）650V CoolMOS™ N 沟道汽车级SJ 功率 MOSFET CFD7A器件说明TO-247 引脚封装中的 115mOhm IPW65R115CFD7A是汽车级认证 650V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款产品。与上一代产品相比…
深圳市明佳达电子有限公司进口原装英飞凌推出汽车级MOSFET（IPW65R115CFD7A）650V CoolMOS™ N 沟道汽车级SJ 功率 MOSFET CFD7A
器件说明
TO-247 引脚封装中的 115mOhm IPW65R115CFD7A是汽车级认证 650V CoolMOS™ SJ 功率 MOSFET CFD7A 系列中的一款产品。与上一代产品相比，CoolMOS™ CFD7A 具有更高的可靠性和功率密度，同时增强了设计灵活性。
特征描述
符合 AEC-Q101 认证标准
电池电压高达 475V 且毫不影响可靠性标准
硬开关和软开关拓扑效率提升高达 98.4%
固有快速体二极管的 Qrr 比 CoolMOS™ CFDA 低 30%
产品属性
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™ CFD7A
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 115 毫欧 @ 9.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 490µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 41 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1950 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 114W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3-41
封装/外壳 TO-247-3
潜在应用
车载充电器
硬开关拓扑（带 SiC 二极管）
PFC 升压级
车载充电器的 DC-DC 级
HV-LV DC-DC 转换器
LLC 或全桥移相 (ZVS)
辅助电源
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