明佳达电子供应STW48NM60N——高性能600V/44A功率MOSFET晶体管深圳市明佳达电子有限公司——作为知名的电子元器件供应商，为广大工程师和制造商提供了STMicroelectronics（意法半导体）生产的高性能 STW48NM60N 功率MOSFET晶体管。（产品图如下）这款采用TO-247-3封装的器…
明佳达电子供应STW48NM60N——高性能600V/44A功率MOSFET晶体管
深圳市明佳达电子有限公司——作为知名的电子元器件供应商，为广大工程师和制造商提供了STMicroelectronics（意法半导体）生产的高性能 STW48NM60N 功率MOSFET晶体管。（产品图如下）
这款采用TO-247-3封装的器件以其出色的电气特性和可靠性，成为多种功率转换应用的理想选择。下面将分点详细介绍 STW48NM60N 的各项特点。
1. 产品描述详情
STW48NM60N 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用成熟的MDmesh™ II技术制造。该器件采用TO-247-3通孔封装，其设计旨在提供高效率的功率转换和强大的电流处理能力。STW48NM60N 适用于高电压、大电流的应用环境，其低导通电阻和优异的开关特性使其成为开关电源、逆变器及电机驱动等应用的理想选择。
2. 主要规格参数
电压与电流规格：STW48NM60N 的漏源极电压（Vdss）为600V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达44A (Tc)，脉冲电流能力更高。
导通电阻：该器件在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为70毫欧。其典型导通电阻甚至更低，有助于减少导通损耗。
栅极特性：STW48NM60N 的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为4V @ 250µA。在10V的Vgs条件下，栅极电荷（Qg）为124nC，输入电容（Ciss）为4285pF @ 50V。
功率耗散与封装：该器件最大功率耗散为255W或330W (Tc)，采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热处理。
3. 产品特性
高频开关性能：STW48NM60N 具有快速开关速度（典型上升时间18ns，下降时间25.5ns），适用于高频开关电路，能有效减小变压器和滤波器的体积。
低导通损耗：得益于其低至70毫欧的导通电阻，STW48NM60N 在导通期间的功率损耗非常小，有助于提高系统整体效率。
高可靠性：该器件经过100%雪崩测试，确保了其在恶劣工作条件下的高可靠性和鲁棒性。其工作结温范围（TJ）为-55°C 至 +150°C。
技术与封装优势：采用MDmesh™ II技术，STW48NM60N 实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好平衡。TO-247封装提供了优良的散热能力。
4. 应用领域
STW48NM60N 广泛应用于多种功率电子设备中：
开关电源（SMPS）：适用于工业电源、通信电源和不间断电源（UPS）系统，其高压大电流特性能够有效处理大功率电源转换。
逆变器：非常适合于太阳能逆变器、电动汽车充电逆变器和风力发电逆变器，能将直流电高效地转换为交流电。
电机驱动与控制：可用于工业电机驱动、电动汽车和混合动力车辆的电机驱动控制系统。
其他工业应用：因其坚固性和高性能，STW48NM60N 也适用于电焊机、等离子切割等其它要求严苛的工业应用领域。
明佳达电子供应的 STW48NM60N 功率MOSFET晶体管，以其600V的耐压、44A的电流能力、低导通电阻和优异的开关性能，为功率电子设计师提供了一个可靠且高效的解决方案。无论您是设计工业电源、新能源逆变器还是电机驱动系统，STW48NM60N 都是一个值得考虑的强大选择。
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