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集成500 V功率级的(ST)PWD5T60TR - 三相高密度功率驱动器

集成500 V功率级的(ST)PWD5T60TR - 三相高密度功率驱动器

来源:本站时间:2025-08-29浏览数:

PWD5T60TR是(ST)推出的一款三相高压功率驱动器,采用 QFN12x12 封装,专为空间受限的电机驱动应用设计。以下是其核心参数:电机类型 - 步进:多相电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC)功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级输出配置:半桥(3)接口:逻辑技术:功率 MOSF…

PWD5T60TR是(ST)推出的一款三相高压功率驱动器,采用 QFN12x12 封装,专为空间受限的电机驱动应用设计。以下是其核心参数:

电机类型 - 步进:多相

电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC)

功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级

输出配置:半桥(3)

接口:逻辑

技术:功率 MOSFET

步进分辨率:-

应用:通用

电流 - 输出:3.5A

电压 - 供电:9V ~ 20V

电压 - 负载:10V ~ 400V

工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:36-VFQFPN(12x12)

框图.png

描述

PWD5T60TR是一款三相高密度功率驱动器,集成了栅极驱动器和六个N沟道功率MOSFET。PWD5T60TR是风扇、泵和小型家电等电机驱动应用的优质解决方案。


集成功率MOSFET具有1.38 Ω的RDS(on) 和500 V阻断电压。该器件的高度集成设计能够高效驱动负载,并显著减小封装尺寸,使PWD5T60TR成为空间受限应用的优质解决方案。


PWD5T60TR具有专用的输入引脚(对应每个输出)和关断引脚。逻辑输入兼容CMOS/TTL(可低至3.3 V),便于与控制器件连接。低侧与高侧之间的延时匹配确保了无循环失真,并支持高频操作。


PWD5T60TR的显著特点是其稳健性。互锁和死区功能可以防止交叉导通,而具有先进智能关机功能的比较器可确保快速有效的过载和过流保护。


低压侧和高压侧的专用UVLO保护功能可防止电源开关在低效或危险条件下工作,从而实现最优的故障安全运行。


零压降集成自举二极管及所有嵌入式功能使PCB的布局设计更加紧凑、简单,同时降低了总体BOM和应用成本。PWD5T60TR器件采用12x12x0.95 mm的紧凑型VFQFPN封装。


关键特性

功率驱动器集成了栅极驱动器和高压功率MOSFET,RDS(on) = 1.38Ω

BVDSS = 500V

宽输入电源电压范围:9V至20V

集成式零压降自举二极管

用于快速过流保护的比较器,具有智能关断功能

过温保护

3.3V、5V TTL/CMOS输入,带迟滞

所有通道均有相配的传播延迟

低侧和高侧UVLO功能

联锁和死区时间功能

专用启用引脚

超紧凑、简化的布局


应用领域

3-phase 逆变器

风扇和泵

家用和工业电器

冰箱压缩机


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