TP65H150BG4JSG是一款650V、150mΩ的 氮化镓 （GaN）场效应晶体管 （FET），采用 瑞萨电子（Renesas）的 Gen IV 平台设计，属于常闭型器件。其核心采用高压GaN HEMT与低压硅MOSFET的组合技术，显著提升了效率与可靠性。核心参数FET 类型：N 通道技术：GaNFET（氮化镓）漏…
TP65H150BG4JSG是一款650V、150mΩ的 氮化镓 （GaN）场效应晶体管 （FET），采用 瑞萨电子（Renesas）的 Gen IV 平台设计，属于常闭型器件。其核心采用高压GaN HEMT与低压硅MOSFET的组合技术，显著提升了效率与可靠性。
核心参数
FET 类型：N 通道
技术：GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 10A，6V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：4.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：400 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-PQFN（5x6）
详情
TP65H150BG4JSG 650V 150mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用瑞萨电子的 Gen IV 平台构建的常闭器件。它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H150BG4JSG采用行业标准的 PQFN56 封装，具有通用的源封装配置。
关键特性
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
Dynamic RDS（on）eff 经过生产测试
坚固的设计，定义
固有寿命测试
宽栅极安全裕度
瞬态过压能力
非常低的 QRR
减少分频损耗
符合 RoHS 标准和无卤素包装
支持 AC-DC 和 DC-DC 设计
提高功率密度
减小系统尺寸和重量
总体降低系统成本
在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
使用常用栅极驱动器易于驱动
应用场景
消费领域
电源适配器
低功耗 SMPS
照明系统
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