意法半导体功率MOSFET STW58N60DM2AG 产品介绍：STW58N60DM2AG 是一款汽车级 N 沟道功率 MOSFET，属于意法半导体的 MDmesh™ DM2 系列。该器件具有 600V 的耐压能力和 50A 的连续漏极电流，采用 TO-247 封装。它专为汽车应用设计，符合 AEC-Q101 标准。产品特性高耐压与大…
意法半导体功率MOSFET STW58N60DM2AG 产品介绍：
STW58N60DM2AG 是一款汽车级 N 沟道功率 MOSFET，属于意法半导体的 MDmesh™ DM2 系列。该器件具有 600V 的耐压能力和 50A 的连续漏极电流，采用 TO-247 封装。它专为汽车应用设计，符合 AEC-Q101 标准。
产品特性
高耐压与大电流：600V 耐压，50A 连续漏极电流
低导通电阻：典型值为 0.052Ω，有助于降低功耗，提高系统效率
快速恢复体二极管：具备低恢复电荷（Qrr）和时间（trr），适合高效率转换器
高开关效率：极低的栅极电荷和输入电容，可实现快速开关
高可靠性：100% 雪崩测试
极高的 dv/dt 耐用性
齐纳保护
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
产品规格
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 90 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
应用领域
STW58N60DM2AG 适用于多种高效率转换器和汽车电子应用，包括：
电动汽车：用于电机驱动和电源管理系统。
高效率转换器：如桥式拓扑和 ZVS 相移转换器。
汽车电子：符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
明佳达电子现货出售
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